[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200510062515.5 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1677562A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;下山隆登;广田卓哉 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/409 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体存储装置中，当芯片使能信号从非激活状态(待机状态)向激活状态转移时，在没有进行刷新动作的情况下，立刻执行读或写访问，当芯片使能信号从非激活状态向激活状态转移时，在正在进行刷新动作的情况下，通过WAIT发生电路输出用于使读或写访问待机的等待信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：存储单元阵列，具有为了保持数据而需要刷新动作的多个存储单元；以及电路，输入控制半导体存储装置的待机状态和激活状态的控制信号，当上述控制信号从表示待机状态向表示激活状态的值转移时，在没有进行刷新动作的情况下，立刻执行对上述存储单元阵列的读或写访问，当上述控制信号从待机状态向激活状态转移时，在正在进行刷新动作的情况下，激活并输出用于使读或写访问待机的等待信号。
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