[发明专利]单次可程序化唯读记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种单次可程序化唯读记忆体及其制造方法。该种单次可程序化唯读记忆体，至少包括P型半导体基底、N型掺杂区、P型第一掺杂层、P型第二掺杂层、导电层、N型第一掺杂层与反熔丝层。其中，N型掺杂区设置于P型半导体基底中。P型第一掺杂层设置于P型半导体基底中，且位于N型掺杂区上。P型第二掺杂层为高掺杂浓度，其设置于N型掺杂区与该P型第一掺杂层之间，且P型第二掺杂层成条状，是作为位元线。导电层设置于P型半导体基底上，此导电层成条状且与P型第一掺杂层垂直交错。N型第一掺杂层设置于P型半导体基底中，且位于导电层与P型第一掺杂层之间，作为选择性的二极管元件。反熔丝层设置于导电层与N型第一掺杂层之间，利用电压崩溃与未崩溃的反熔丝层作为判别0与1的状态。

主权项

1、一种单次可程序化唯读记忆体，其特征在于其包括：一第一导电型半导体基底；一第二导电型掺杂区，设置于该第一导电型半导体基底中；一第一导电型第一掺杂层，设置于该第一导电型半导体基底中，且位于该第二导电型掺杂区上；一第一导电型第二掺杂层，设置于该第二导电型掺杂区与该第一导电型第一掺杂层之间，且该第一导电型第二掺杂层成条状，是作为位元线；一导电层，设置于该第一导电型半导体基底上，该第一导电层成条状且与该第一导电型第一掺杂层交错；一第二导电型第一掺杂层设置于该第一导电型半导体基底中，且位于该导电层与该第一导电型第一掺杂层之间；以及一反熔丝层，设置于该导电层与该第二导电型第一掺杂层之间。