[发明专利]半导体器件及制造此器件的方法无效
| 申请号： | 200510059130.3 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1674274A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 小野寺孝二 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/00;H01L29/772;H01L29/861;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其能够在不改变晶体管的参数和不显著增加成本的情况下改善保护元件的浪涌放电容量，该半导体器件具有形成于半导体衬底上的半导体层的不同区域处的晶体管和保护元件，半导体层包括：在其表面形成有晶体管的栅极电极的未掺杂半导体的阻挡层；在保护元件侧的单层半导体层或包括作为最顶层的阻挡层的多层半导体层中形成的第一导电类型半导体区域；和在形成第一导电类型半导体区域的阻挡层中的两个分开区域处形成的第二导电类型半导体区域，其与第一导电类型半导体区域在接触表面形成彼此方向不同的保护二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其形成有晶体管和保护元件，该保护元件用以形成包括所述晶体管的电路的过量电荷的放电通道，以保护所述电路，所述晶体管和保护元件处于形成在半导体衬底上的多个半导体层的不同区域，所述多个半导体层包括：未掺杂的半导体的阻挡层，在其表面形成有所述晶体管的栅极电极；第一导电类型半导体区域，其在保护元件侧形成为单层半导体层或包括作为最顶层的所述阻挡层的多层半导体层；且两个第二导电类型半导体区域，其形成于形成有所述第一导电类型半导体区域的所述阻挡层中的两个分开区域，其与所述第一半导体型半导体区域在各自的接触表面处形成有不同方向的保护二极管。
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