[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200510054810.6 申请日: 2005-03-18
公开(公告)号: CN1670955A 公开(公告)日: 2005-09-21
发明(设计)人: 川野连也 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60;H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆弋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体器件,该半导体器件以利用凸点键合将逻辑芯片的焊盘部分连接到半导体芯片的元件区的这种方法构成,因为电信号的传输延迟被抑制,所以该半导体器件能够实现元件的高速操作性能。逻辑芯片直接连接到DRAM,因此,可以抑制由互连引起的负载电容的增加,以及通过多管脚连接保证宽的总线宽度。结果,在抑制从逻辑芯片至DRAM的信息传输延迟时,可以增强半导体器件的性能。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一半导体芯片,在所述第一半导体芯片的主表面上具有第一焊盘;作为逻辑芯片的第二半导体芯片;所述第二半导体芯片具有;半导体衬底;设置在所述半导体衬底的前表面上的多级互连层;贯穿所述半导体衬底,连接到所述多级互连层内设置的导电元件的穿通电极;以及贴装在所述多级互连层的顶部上的第二焊盘,其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述第一焊盘和所述第二焊盘互相倒装芯片连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054810.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top