[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054502.3 | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1677657A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 岩崎良英;住江信二;森胜信 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件具有：在硅晶片(4)的元件形成面上所形成的与电路电连接的电极区(2)；与上述电极区(2)电连接的进行了再布线的布线图形(5)；以及在上述布线图形(5)表面上通过上述布线图形(5)的氧化而形成了的氧化膜(10)。上述半导体器件通过形成了上述氧化膜(10)，可防止电特性等的可靠性的降低，同时与现有技术相比，可降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：基板；在上述基板的元件形成面上所形成的电路；与上述电路电连接的电极区；与上述电极区电连接的进行了再布线的布线图形；以及在上述布线图形表面上使上述布线图形氧化而形成了的氧化膜。
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