[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054194.4 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1655372A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 安田秀文;加藤夕子;古川和由 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件，包括：衬底，具有第一主表面和第二主表面；发光层，设置在衬底的第一主表面上的第一部分中；第一电极，设置在发光层上；第二电极，设置在衬底的第一主表面上的第二部分中，其中第二部分与第一部分不同；以及突起，设置在衬底的第二主表面上，其中突起具有平面形状，该平面形状反映了发光层的发光区的平面形状，发光区夹在第一电极和第二电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：衬底，具有第一主表面和第二主表面；发光层，设置在所述衬底的第一主表面上的第一部分中；第一电极，设置在所述发光层上；第二电极，设置在所述衬底的第一主表面上的第二部分中，其中所述第二部分与所述第一部分不同；以及突起，设置在所述衬底的第二主表面上，其中所述突起具有平面形状，所述平面形状反映了所述发光层的发光区的平面形状，所述发光区夹在所述第一电极和所述第二电极之间。
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