[发明专利]覆晶式的发光二极管及其制作方法

摘要

本发明提出了一种覆晶式的发光二极管及其制作方法。本发明方法利用软质透明粘接层，将一透明基材与制作在基材上的发光二极管磊晶结构贴合，并接着移除基材，以将发光二极管磊晶结构移转至透明基材上。然后，对发光二极管磊晶结构进行平台蚀刻步骤，使发光二极管磊晶结构形成第一上表面与第二上表面，而同时暴露出n型半导体层与p型半导体层。接着，依序在发光二极管磊晶结构上形成金属反射层以及阻障层，最后再将电极制作在阻障层上。

主权项

1.一种覆晶式的发光二极管的制作方法，其特征在于，包含：形成发光二极管磊晶结构于基材上；利用软质透明粘接层，将透明基材贴合于所述发光二极管磊晶结构上，其中所述软质透明粘接层，位于所述透明基材与所述发光二极管磊晶结构之间；移除所述基材，以暴露出所述发光二极管磊晶结构；蚀刻所述发光二极管磊晶结构，以移除部分发光二极管磊晶结构至一深度，使所述发光二极管磊晶结构具有第一上表面，以及第二上表面，其中所述第一上表面与所述第二上表面为不同掺杂型；形成金属反射层，位于所述发光二极管磊晶结构的所述第一上表面上，以及所述第二上表面上；以及分别制作第一电极以及第二电极，位于所述金属反射层上，其中所述第一电极的下方为所述发光二极管磊晶结构的第一上表面，而所述第二电极的下方，则为所述发光二极管磊晶结构的第二上表面。