[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的是得到能以良好的稳定性固定由部分隔离区进行了元件隔离的元件形成区中的体区的电位的SO1(绝缘体上的硅)结构的半导体装置。解决方法是在由部分氧化膜(31)进行了元件隔离的元件形成区中形成由源区(51)、漏区(61)和H栅电极(71)构成的MOS晶体管。在H栅电极(71)中，利用左右(图中上下)的“I”，导电性地隔离在源区(51)和漏区(61)上在栅宽W方向上邻接地形成的体区(13)与漏区(61)和源区(51)，中央的“－”起到原来的MOS晶体管的栅电极的功能。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置是由半导体衬底、埋入绝缘层和SOI层构成的SOI结构的半导体装置，其特征在于：具备：第1和第2元件形成区，设置在上述SOI层中；部分隔离区，由在上述SOI层的上层部设置的部分绝缘膜和作为上述部分绝缘膜下的上述SOI层的一部分的半导体区构成，对上述第1和第2元件形成区间进行元件隔离；以及第1和第2MOS晶体管，分别在上述第1和第2元件形成区中形成，使上述第1和第2MOS晶体管间的体区的结构、栅电极的结构和体电位固定的有无中的至少一个因素不同，来使上述第1和第2MOS晶体管的晶体管特性不同。