[发明专利]半导体器件无效
| 申请号: | 200510051138.5 | 申请日: | 2005-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN1750264A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
| 发明(设计)人: | 若山繁俊;甲斐睦章 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/82;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构,其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路,其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通,当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:电容器,所述电容器包括栅极接线端;接地端;和在所述栅极接线端和所述接地端之间的栅极绝缘膜;开关单元,所述开关单元将所述栅极接线端电连接至电源或从电源断开;和开关控制单元,所述开关控制单元当所述栅极接线端的电压高于预定电压时接通所述开关单元,并且当所述栅极接线端的电压低于所述预定电压时切断所述开关单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





