[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200510051138.5 申请日: 2005-02-28
公开(公告)号: CN1750264A 公开(公告)日: 2006-03-22
发明(设计)人: 若山繁俊;甲斐睦章 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/82;H01L21/66;G01R31/28
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 赵淑萍
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构,其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路,其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通,当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:电容器,所述电容器包括栅极接线端;接地端;和在所述栅极接线端和所述接地端之间的栅极绝缘膜;开关单元,所述开关单元将所述栅极接线端电连接至电源或从电源断开;和开关控制单元,所述开关控制单元当所述栅极接线端的电压高于预定电压时接通所述开关单元,并且当所述栅极接线端的电压低于所述预定电压时切断所述开关单元。
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