[发明专利]镍铬合金薄膜的湿法图形化技术无效
| 申请号： | 200510010974.9 | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1920097A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 杨明珠;普朝光;李振豪;杨培志 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/30;H05K3/06 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 赵云;邵会昌 |
| 地址： | 650223*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镍铬合金薄膜的湿法图形化技术，主要适用于红外探测器中上电极镍铬合金薄膜的图形化。其主要技术特征是：在腐蚀工序中所用的腐蚀液配制比例为：高锰酸钾2－10％、硫酸铈30－50％、盐酸5－11％、氯化氨5－10％、蒸馏水。本发明所制作的镍铬合金薄膜图形化产品完全达到技术要求，其生产技术成本得到较大幅度的下降，图形线条清晰、精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 薄膜 湿法 图形 技术 | ||
【主权项】：
1、一种镍铬合金薄膜的湿法图形化技术，含有工序：清洗硅片、生长镍铬薄膜、涂敷光刻胶、去除光刻胶，其特征在于：在工序A配制腐蚀液体中，腐蚀液的配制比例：高锰酸钾2-10％、硫酸铈30-50％、盐酸5-11％、氯化氨5-10％、蒸馏水。
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