[发明专利]半导体存储器有效
申请号: | 200480043556.3 | 申请日: | 2004-08-05 |
公开(公告)号: | CN1985330A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 森郁 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在刷新操作之后,字控制电路保持在每个存储块中对应刷新地址而选择的字线选择信号线的选择状态。另外,字控制电路响应存取请求,仅去除选择根据对应该存取请求的外部地址所选择的存储块的字线选择信号线。在各个存储块中,由于在接收存取请求之前没有将选择过一次的字线选择信号线去除选择,因此,可以降低字线选择信号线的去除选择和选择的频率。其结果是,可以减少字线选择信号线的充放电电流,从而可以削减半导体存储器的电流消耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器,其特征在于,包括:多个存储块,分别具有多个存储单元和与存储单元连接的多条字线;多个字线组,分别形成在所述存储块上,并包括预定数量的字线;刷新请求发生电路,以预定周期发生用于刷新存储单元的刷新请求;刷新地址发生电路,响应所述刷新请求来顺次生成刷新地址,该刷新地址表示与要刷新的存储单元连接的字线;第一字译码器,对应所述字线组而分别形成,为了根据所述刷新地址或者外部地址来选择所述字线组内的某条字线,对字线选择信号线进行选择;第二字译码器,分别对应所述字线而形成,并响应所述字线选择信号线的选择,根据所述刷新地址或外部地址来选择所述字线组内的某条字线;字控制电路,在刷新操作之后保持在每个所述存储块中对应所述刷新地址而选择的字线选择信号线的选择状态,并且响应存取请求而仅去除选择对应该存取请求的所述外部地址所表示的存储块的字线选择信号线;其中,为了选择所述存储块而分配所述刷新地址生成电路所生成的所述刷新地址的最低位的至少一位。
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