[发明专利]带有增强内连接金属化部的引线接合的半导体元件无效
| 申请号： | 200480036901.0 | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1890809A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | J·贝伦斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉;黄力行 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 半导体元件包括由掺杂硅衬底制成的半导体芯片(2)，所述芯片掺入半导体器件中并且进行构造，并且包括位于接触窗口中的内连接金属化部(7)，并且所述半导体芯片的所述内连接金属化部通过引线接合连接(9)连接到相应外连接金属化部上，其特征在于，内连接金属化部包括具有位于掺杂硅衬底上的开放栅格结构的增强系统(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 增强 连接 金属化 引线 接合 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括由掺杂硅衬底制成的半导体芯片(2)，所述芯片掺入半导体器件中并且进行构造，并且包括位于接触窗口中的内连接金属化部(7)，并且所述半导体芯片的所述内连接金属化部通过引线接合连接(9)连接到相应外连接金属化部上，其特征在于，内连接金属化部包括具有位于掺杂硅衬底上的开放栅格结构的增强系统(8)。
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