[发明专利]硅烷化合物、聚硅氧烷以及放射线敏感性树脂组合物无效

专利信息
申请号: 200480034903.6 申请日: 2004-10-14
公开(公告)号: CN1886410A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 西村功;山原登;田中正人;下川努 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18;C08G77/14;G03F7/075;G03F7/039;H01L21/027
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供适合作为I-D偏差、焦点会聚范围(DOF)等特别优异的化学放大型抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷,作为合成该聚硅氧烷的原料等有用的新型硅烷化合物,和含有该聚硅氧烷的放射线敏感性树脂组合物。硅烷化合物用下述式(I)表示。聚硅氧烷具有下述式(1)表示的结构单元(R表示烷基,R1与R2表示氟原子、低级烷基或低级氟代烷基,n是0或1,k是1或2,i是0~10的整数)。放射线敏感性树脂组合物含有该聚硅氧烷和放射线敏感性酸发生剂。
搜索关键词: 硅烷 化合物 聚硅氧烷 以及 放射线 敏感性 树脂 组合
【主权项】:
1.下述式(I)表示的硅烷化合物,式(I)中,各R相互独立地表示C1-20的直链状、支链状或环状的烷基,R1与R2相互独立地表示氟原子、C1-4的直链状或支链状的烷基或C1-4的直链状或支链状的氟代烷基,n是0或1,k是1或2,i在k=1时是0~8的整数,在k=2时是0~10的整数。
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