[发明专利]具有颗粒半导体材料的应力半导体器件结构有效
| 申请号： | 200480033367.8 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1879227A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | B·B·多里斯;M·P·别良斯基;D·C·博伊德;D·奇丹巴尔拉奥;O·格卢斯秦克夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/119 | 分类号： | H01L31/119;H01L21/8238;H01L21/302;H01L21/461;H01L21/336;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 颗粒 半导体材料 应力 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上提供电极；在所述电极中形成凹槽，所述凹槽具有开口；在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料；覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料；以及接着退火所得结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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