[发明专利]半导体晶片的制造方法无效
| 申请号： | 200480014685.X | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1795545A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 浅川庆一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体晶片的制造方法，其中利用自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂颗粒研磨降低了由线锯切割或双盘研磨产生的微小表面起伏，同时简化了常规半导体晶片的制造工艺步骤。半导体晶片的制造方法的特征在于，进行以下工艺：切割，然后倒角，蚀刻，以及一侧或双侧抛光，其中在所述切割工艺之后进行利用多孔抛光衬垫和自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂研磨工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的制造方法，该制造方法利用了这样的工艺方法，在该工艺方法中，在多孔抛光衬垫中保持自由研磨剂颗粒用于研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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