[发明专利]半导体工艺中后蚀刻残留物的去除无效
| 申请号： | 200480011930.1 | 申请日： | 2004-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1802731A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | M·切尔纳特;S·李 | 申请（专利权）人： | EKC技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K3/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从包含低k介电材料的衬底中清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使衬底与包含H2SiF6或HBF4、有机溶剂、胺、腐蚀抑制剂和水的成分相接触，所述成分能够使后蚀刻残留物片状脱落并使氧化物损失最小化，并且所述成分具有低于7的pH。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 蚀刻 残留物 去除 | ||
【主权项】：
1.一种从包含低k介电材料的衬底清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使所述衬底与包含：(a)H2SiF6；(b)有机溶剂；(c)胺；(d)腐蚀抑制剂和(e)水的成分在足以导致所述成分基本上去除残留物的温度下相接触一段时间，其中所述成分能使后蚀刻残留物片状脱落并能使氧化物损失最小化，并且其中所述成分具有低于7的pH。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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