[发明专利]具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200480007454.6 | 申请日： | 2004-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1762056A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | M－V·努;P·R·贝塞尔;林明仁;汪海宏 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个示例性实施例涉及一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法。该方法包括提供其上形成有栅极(54)的基片(40)并且至少进行以下沉积步骤中的一种：沉积隔片层并在位于基片(40)上的硅层(42)之上的栅极(54)与栅极绝缘体(56)周围形成隔片(60)；在隔片(60)、栅极(54)与硅层(42)上沉积蚀刻终止层(63)；以及在蚀刻终止层(63)上沉积介电层(65)。沉积隔片、沉积蚀刻终止层(63)与沉积介电层(65)中的至少一个包括高压缩沉积，该高压缩沉积增大了硅层(42)中的拉伸应变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 拉伸 应变 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，包括：提供基片(40)，所述基片(40)上形成有栅极(54)；以及进行以下沉积步骤中的至少一个：沉积隔片层并在位于所述基片(40)上的硅层(42)之上的栅极(54)与栅极绝缘体(56)的周围形成隔片(60)；在所述隔片(60)、栅极(54)与硅层(42)之上沉积蚀刻终止层(63)；以及在所述蚀刻终止层(63)之上沉积介电层(65)；其中，沉积隔片层、沉积蚀刻终止层(63)与沉积介电层(65)中的至少一个包括高压缩沉积，由此所述硅层(42)的拉伸应变增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480007454.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
