[发明专利]半导体传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200480005399.7 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1754270A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 柴田佳彦;井濑修史 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体传感器及其制造方法，能够在Si衬底上形成电子迁移率高、片电阻比较大的InSb或InAs膜成，从而在工业上提供高灵敏度而且低功耗的优良的元件。在(111)Si衬底上首先形成由Ga、Al、In、As、Sb、P之中的至少2种或2种以上的元素构成的第1化合物半导体层(2)，再在该第1化合物半导体层(2)上，作为第2化合物半导体层(3)通过形成InSb或InAs而获得膜厚1μm左右的高电子迁移率而且高电阻的膜。进而，使用所获得的薄膜形成霍尔元件，从而能够形成高灵敏度而且电阻比较高的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体传感器，其特征在于，具备：在(111)面与衬底表面平行的Si衬底上设置的由Ga、Al、In、As、Sb、P之中的至少2种或2种以上的元素构成的第1化合物半导体层；在该第1化合物半导体层上设置的由InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1.0，0≤y≤1.0)构成并作为功能层起作用的第2化合物半导体层；以及按照使电流在该第2化合物半导体层的面内方向上流动的方式在该第2化合物半导体层的两端侧设置的电极。
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