[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法无效
| 申请号： | 200480002182.0 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1739225A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 菅原岳;川口靖利;石桥明彦;横川俊哉;松原敦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法顺序包括：在表面上形成有由空隙构成的凹部和由III族氮化物构成的凸部的基板上，通过将所述凸部的上面作为种结晶使III族氮化物的结晶沿横向成长而形成氮化物半导体层的横向成长工序；和在所述氮化物半导体层的表面，形成具有活性层的氮化物半导体层叠体的层叠体形成工序，所述基板的晶格常数与所述III族氮化物的晶格常数不同，所述基板具有由电介质构成的掩模，使所述III族氮化物的结晶在900℃以上的温度沿横向成长，所述掩模仅在所述凸部的侧面形成，所述凸部的上面露出，并且在所述凹部露出基板，所述掩模的高度L1在50nm以上5000nm以下，所述凹部的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，所述凹部的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。
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