[发明专利]使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法有效
| 申请号： | 200480000328.8 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1698212A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于氮化物的3－5族(group)化合物半导体发光器件，包括：基底；在基底上形成的过渡层；在过渡层上形成的第一In掺杂的GaN层；在第一In掺杂的GaN层上形成的InxGa1－xN/InyGa1－yN超晶格结构层；在InxGa1－xN/InyGa1－yN超晶格结构层上形成的第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的、起发光作用的活性层；第二In掺杂的GaN层；在第二In掺杂的GaN层上形成的GaN层；和在GaN层上形成的第二电极接触层。本发明能够减少基于氮化物的3－5族化合物半导体发光器件的晶体缺陷，提高GaN、GaN基单晶层的结晶性，以改善发光器件的性能，确保其可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氮化物 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化物的3-5族化合物半导体发光器件，包括：基底；在基底上形成的过渡层；在过渡层上形成的第一In掺杂的GaN层；在第一In掺杂的GaN层上形成的InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层；在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层上形成的第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的、起发光作用的活性层；第二In掺杂的GaN层；在第二In掺杂的GaN层上形成的GaN层；和在GaN层上形成的第二电极接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480000328.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
