[发明专利]制造半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 200410104886.0 申请日: 2004-12-24
公开(公告)号: CN1638122A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 木下顺弘;绀野顺平 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 何腾云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种制造半导体器件的方法,包括如下步骤:磨半导体晶片的后面以减小其厚度;将半导体晶片的后面平整;将半导体晶片分成多个半导体芯片;在所述多个半导体芯片的电极上形成金突块;将NCP施加到封装板的前面上;以及,通过NCP将半导体芯片布置在封装板的上方,并且对半导体芯片的背面施压,从而将半导体芯片倒装粘结到封装板上。因此,可以防止当倒装粘结时NCP上升到半导体芯片的背面上,以及防止各芯片的背面和密封树脂之间的分离,从而防止由于制造和安装半导体器件的过程中的高温处理而引起的所述分离和开裂,并改进半导体器件的可靠性。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有前面和后面的接线基底;具有主表面和背面的第一半导体芯片,其通过突出电极倒装粘结到所述接线基底的前面上;具有主表面和背面的第二半导体芯片,其通过利用粘结剂将其背面粘结到第一半导体芯片的背面上而安装到第一半导体芯片的上方;设置在接线基底和第一半导体芯片之间的非导电树脂粘结剂;以及形成在接线基底的前面上方的密封体,其用来将第一和第二半导体芯片树脂密封,其中,所述第一半导体芯片通过研磨其背面而被变薄,并通过研磨后的抛光将所述背面平整。
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