[发明专利]半导体存储器装置的栅结构有效
| 申请号： | 200410104176.8 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1716541A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 梁洪善;张世亿;金龙洙;林宽容;赵兴在;吴在根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器装置的栅结构，该结构能够通过形成保持滞后面积在一个特定值的硬掩膜来防止多晶硅空隙产生。半导体存储器装置的栅结构，包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极，其中该栅电极通过堆叠多晶硅层和金属层形成；和形成在栅电极上的硬掩膜，其中在硬掩膜和栅电极材料之间的滞后面积的大小等于或小于约2×1012℃－dyne/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.半导体存储器装置的栅结构，包括；在半导体衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅电极，其中通过堆叠多晶硅层和金属层形成栅电极；和在栅电极上形成硬掩膜，其中在硬掩膜和栅电极材料间的滞后面积的大小为等于或小于约2×1012℃-dyne/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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