[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具有MOS晶体管及扩散电阻层，可极力抑制扩散电阻层的电流泄漏。上述制造方法具有如下特征，即在含有形成于n型阱(11)上的栅电极(22)及p+型扩散电阻层(30)上的n型阱(11)的整个面上形成CVD绝缘膜(23)。在扩散电阻层30的部分上形成具有开口部(42m)的第二光致抗蚀剂层(42)，并以该抗蚀剂层为掩膜来对CVD绝缘膜(23)进行各向异性蚀刻，在栅电极22的侧壁形成侧壁隔垫(23s)。以第二光致抗蚀剂层(42)为掩膜，掺杂高浓度p型杂质来形成MOS晶体管(20)的源极层(24s)及漏极层(24d)、以及扩散电阻层(30)的触点形成用p+型层(31)。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在同一半导体衬底上具有MOS晶体管及扩散电阻层，所述制造方法特征在于，包括：在所述半导体衬底上形成多个元件分离层的工序；在邻接所述元件分离层的区域介由栅极绝缘膜形成栅电极的工序；在由所述元件分离层包围的半导体衬底上的区域掺杂低浓度杂质而形成扩散电阻层的工序；利用CVD法在包括所述栅电极及所述扩散电阻层上的所述半导体衬底的整个面上形成CVD绝缘膜的工序；在所述扩散电阻层的主要部分上形成蚀刻保护层，并以所述蚀刻保护层为蚀刻保护掩膜来各向异性蚀刻所述CVD绝缘膜而在所述栅电极上的侧壁上形成侧壁隔垫的工序。