[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件具有适合于存储单元阵列配置的低电阻栅极。在分裂栅极构造的非易失性半导体存储器件中，在借助于侧壁间隔物形成存储器栅极时，在由多晶硅形成了该存储器栅极之后，置换成镍硅化物。由此能进行低电阻化而不会对选择栅极和扩散层的硅化物化造成影响。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于，在半导体基体的主表面上具有：沟道区域；夹着上述沟道区域配置的第1杂质区域和第2杂质区域；在上述沟道区域上中间隔着第1栅极绝缘膜形成的第1栅极电极；以及在上述第1栅极电极的上述第1杂质区域和第2杂质区域中的任何一方的侧面中间隔着隔离用绝缘膜地、而且在上述沟道区域上中间隔着第2栅极绝缘膜地作为薄层形成的第2栅极电极，上述第2栅极电极由硅化物形成，控制向上述第1栅极电极和第2栅极电极以及上述第1杂质区域和第2杂质区域施加的电位，并控制电荷向上述第2栅极绝缘膜的蓄积和读出。