[发明专利]一种采用纯数字工艺制作的电容无效
| 申请号： | 200410098991.8 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1797710A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 郭慧民;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01G4/33;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种采用纯数字工艺制作的电容，涉及集成电路技术领域，属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种纯数字工艺下制作的具有较大单位面积电容的电容。该电容，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质。将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联。同时，将利用各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。考虑到设计工艺制作中设计规则的限制，电容在实现时不使用顶层金属。这样可以在纯数字工艺下得到较大的单位面积电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 数字 工艺 制作 电容 | ||
【主权项】：
1.一种采用纯数字工艺制作的电容，由多晶硅条、金属条、层间介质和接触组成，其特征在于，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质，将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联，同时，将各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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