[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410096588.1 | 申请日： | 2001-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1632945A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 段行迪;李立钧;汤姆斯·东隆·张;梁仲伟 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个掩膜(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成于独立的基板区域内部或上方，在蚀刻沟槽绝缘层之前可以至少部分掺杂源极线，借此隔离基板区域与下方结构，以避免短路；这种存储器可以区块(sector)抹除；或是执行晶片抹除操作以并联抹除所有的胞元；周边电晶体栅极和选择闸可以由同一层形成，选择闸间壁有延伸物，可以自上方金属线作成低电阻接触；至于在机械或化学机械研磨上方绝缘层时，利用相邻的虚置结构可以保护半导体基板上方的电路元件。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抹除在一半导体区域内部及上方的快闪记忆阵列记忆胞元的方法，该记忆阵列包含多个区段，每一该区段可以个别抹除，每一该区段有多个记忆胞元，该方法包括：该存储器接收一指令，指示是否要抹除整个记忆阵列，或是要采除少于整个记忆阵列；如果要抹除整个记忆阵列，则抹除该整个记忆阵列；以及如果要抹除少于整个记忆阵列，则抹除部分的该记忆阵列，而不抹除该整个记忆阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
