[发明专利]电容器及其制造方法和包括电容器的存储器件

摘要

提供一种半导体器件的电容器和制造该电容器的方法以及包括该电容器的存储器件。电容器包括下电极、介质薄膜和上电极。第一反应阻挡膜还形成于下电极和介质薄膜之间。介质薄膜为包括镧系元素的氧化膜(LaO)，而第二反应阻挡膜还可以形成于上电极和介质薄膜之间。在淀积包括镧系元素的氧化膜的工艺中，通过使蒸汽流动并接着使臭氧流过氧化膜来去除杂质。为了控制下电极和介质薄膜之间的反应，第一反应阻挡膜为铪膜或铝膜，其铪膜和铝膜包括半径比氧化镧膜(La₂O₃)的阳离子半径小的阳离子。

主权项

1.一种半导体器件的电容器，包括：下电极；下电极上的介质薄膜；介质薄膜上的上电极；和第一反应阻挡膜，其防止下电极和介质薄膜之间的反应，介于下电极和介质薄膜之间。