[发明专利]半导体存储装置及其控制方法无效

专利信息
申请号: 200410092655.2 申请日: 2004-11-15
公开(公告)号: CN1624800A 公开(公告)日: 2005-06-08
发明(设计)人: 高桥弘行;下山隆登;广田卓哉 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/409;G11C16/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储装置,至少包括:共用端子,用于输入n比特地址信号的地址端子的一部分或全部、与用于进行比特幅度在n比特以下的数据的输出的数据端子共用;地址专用端子,输入m比特的地址信号,读出时,输入n比特的地址信号后,使用从地址专用端子输入的m比特的地址信号,从上述共用端子连续的读出选择的页面内的多个数据。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,输入多比特的地址信号的多个地址端子的一部分作为和输出及/或输入用的数据端子共用的共用端子;所述地址端子的剩余的一部分或全部作为用于页面内的存取的地址专用端子,对于由来自所述共用端子的地址选择的页面,根据输入到所述地址专用端子的地址信号,由所述共用端子进行页面内多个数据的连续输出及/或输入。
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