[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法无效
| 申请号： | 200410089724.4 | 申请日： | 2004-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1770457A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨青松;翁伟哲;卓志臣 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器，具有基底、选择晶体管及沟槽式晶体管。选择晶体管设置于基底上，此选择晶体管包括设置于基底上的第一栅极及分别设置于第一栅极两侧的基底中的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。沟槽式晶体管设置于该基底中，此沟槽式晶体管包括设置于基底的沟槽中的第二栅极、设置于第二栅极与沟槽之间的电荷陷入层及分别设置于第二栅极两侧的基底中的第三源极/漏极区及第二源极/漏极区，其中沟槽式晶体管与选择晶体管共享第二源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储器，具有一第一存储单元，该第一存储单元包括：一基底；一第一晶体管，该第一晶体管设置于该基底上，该第一晶体管包括：一第一栅极，设置于该基底上；一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，分别设置于该第一栅极两侧的该基底中；以及一第二晶体管，该第二晶体管设置于该第一晶体管旁，该第二晶体管包括：一第二栅极，设置于该基底上；一电荷陷入层，设置于该第二栅极与该基底之间；以及一第三源极/漏极区及该第二源极/漏极区，分别设置于该第二栅极两侧的该基底中，其中该第二晶体管与该第一晶体管共享该第二源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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