[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410084922.1 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1758450A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄宝亿;杜全成;吴仁钊 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造工艺。根据本发明的半导体发光元件包括一无掺杂的InxGayAlzN膜做为一欧姆层，该无掺杂膜并且形成于一最顶层半导体材料层与一透明导电氧化物材料层之间。因为，做为穿隧层的无掺杂膜相当薄(≤20埃)，致使横跨该穿隧层的电场于顺向偏压的情况下，将让电子从价电子带穿隧到导电带，并且回到该透明导电氧化物材料层上。根据本发明的半导体发光元件，其具有较低并且稳定的正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，包括：一半导体基材；一多层结构，该多层结构形成于该半导体基材上，该多层结构包括一发光区；一无掺杂膜，该无掺杂膜覆盖该多层结构，该无掺杂膜由一InxGayAlzN材料形成，其中x+y+z＝1，并且0≤x，y，z≤1；一透明导电氧化物材料层，该透明导电氧化物材料层覆盖该无掺杂膜；并且其中该半导体发光元件的一正向电压(Vf)低于或等于3.7伏特。
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