[发明专利]半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉无效
| 申请号： | 200410083868.9 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1764026A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张尚剑;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H05K7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 高频 封装 用具 微带 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。
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