[发明专利]两步法生长N－Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410067004.8 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1588623A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吕建国;诸葛飞;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是磁控溅射法：反应室真空度抽到至少4×10－3Pa，以铝的质量百分含量为0.1～0.3％的锌铝合金为靶材，以纯度99.99％以上的N2O和纯度99.99％以上的O2作为溅射气氛，两种气体分别由气体流量计控制经缓冲室充分混合后输入真空反应室，在3～5Pa压强下，第一步，先将衬底加热到温度为590～610℃，在衬底上沉积一层N－Al共掺的p型ZnO缓冲层薄膜，然后第二步，将衬底温度调至480～520℃，再在缓冲层上生长N－Al共掺的p型ZnO晶体薄膜。本发明可实现N、Al实时共掺杂，制得的晶体薄膜具有较好的掺杂均匀性、可重复性和稳定性，良好的光学性能和p型传导特性。 | ||
| 搜索关键词： | 步法 生长 al 掺杂 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.两步法生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是：将衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少4×10-3Pa，以铝的质量百分含量为0.1～0.3％的锌铝合金为靶材，以纯度99.99％以上的N2O和纯度99.99％以上的O2作为溅射气氛，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在3～5Pa压强下，第一步，先将衬底加热到温度为590～610℃，进行溅射生长，在衬底上沉积一层N-Al共掺的p型ZnO缓冲层薄膜，沉积时间为4～6min；然后第二步，将衬底温度调至480～520℃，再在缓冲层上生长N-Al共掺的p型ZnO晶体薄膜，生长时间为20～30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
