[发明专利]垂直金属氧化物半导体晶体管

摘要

提供一种获得高可靠性的垂直MOS晶体管和一种制造该垂直MOS晶体管的方法。在同一衬底上形成具有不同宽度和深度的两种类型的沟槽，而不用增加制造工艺步骤。将具有窄宽度的浅沟槽的沟槽主要用于驱动晶体管并将具有宽深沟槽的沟槽，用于防止长期可靠性的退化的措施。造成源和漏之间的损伤以至在宽、深沟槽处扩展，但不会导致长期特性退化。

主权项

1.一种垂直MOS晶体管，包括：第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底成为高浓度的漏区；在该半导体衬底上形成的成为低浓度的漏区的第一导电类型的外延生长层；第二导电类型的体区，该体区形成在该外延生长层上；第二导电类型的高浓度体接触区，该体接触区形成在该第二导电类型的体区的一部分的前表面上；第一导电类型的高浓度源区，该源区形成在该高浓度的体接触区外侧的该第二导电类型的体区的该前表面的区域上；具有预定宽度的第一硅沟槽，完全穿过该第二导电类型的体区和该第一导电类型的源区直至到达该第一导电类型的外延生长层的内部的深度；第二硅沟槽，具有不同于第一硅沟槽的宽度的宽度；沿硅沟槽的壁表面和底表面形成的栅绝缘膜；以及高浓度的多晶硅栅极，该多晶硅栅极嵌入沟槽之中由栅绝缘膜包围。