[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410058682.8 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1599047A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 牧浩;谷由贵夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。提供了一种矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤：(a)提供衬底；(b)以各个主表面朝上的方式，将多个半导体芯片放置在平台上；(c)将衬底放置在多个半导体芯片上；以及(d)用热压键合方法，将多个半导体芯片一起键合到衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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