[发明专利]可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法有效
| 申请号： | 200410057175.2 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1670860A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法；该存储电路包括一第一、第二N型晶体管，其栅极连接漏极，并可耦接第一控制电压准位，其源极均耦接第二控制电压准位；其中，该第一及第二控制电压准位是用以使该第一或第二N型晶体管的漏极与源极间的电压(Vds)和栅极与源极间的电压(Vgs)之间的压差大于一预设临界电压，方能产生一热载子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 程序 金属 氧化 半导体 存储 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可程序方法，适用于一金属氧化半导体存储电路，该金属氧化半导体存储电路包括一闩锁模块、一第一及第二N型晶体管、以及一连接模块；该闩锁模块具有一第一输入端、第二输入端以及至少一输出端；该第一及第二N型晶体管的栅极连接漏极，并可耦接一第一控制电压准位，其源极均耦接一第二控制电压准位；该连接模块用以将该第一N型晶体管的漏极连接至该第一输入端，以及将该第二N型晶体管的漏极连接至该第二输入端，该可程序方法，包括下列步骤：禁能该连接模块，使得该第一N型晶体管的漏极无法连接至该第一输入端，且该第二N型晶体管的漏极亦无法连接至该第二输入端；提供该第一控制电压予该第一或第二N型晶体管的栅极及漏极；以及解除提供该第一控制电压予该第一或第二N型晶体管的栅极及漏极。
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