[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。在电容测量电路中，配置PMISFET(1、2、3)和NMISFET(4～9)。布线(W1、W2、W3)，在分别通过PMISFET(1、2、3)，经过充电用电压供给部，与电源端子盘(PST)连接的同时，还分别通过NMISFET(7、8、9)，经过电流取出部，与电流监测用端子盘(41)连接。再使电流监测用端子盘(41)与电流表(45)的探头接触，从而能测量电流(I)。实现了所需的端子盘数量少，而且能将3个以上的导体部件之间的电容(寄生电容)分离开后测量的电容测量电路。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于：在半导体芯片内，具有：第1导体部件；与所述第1导体部件之间隔着绝缘层而设置的第2导体部件；与所述第1、第2导体部件之间隔着绝缘层而设置的第3导体部件；以及电容测量电路，所述电容测量电路，具有：通过第1充电用开关晶体管而与所述第1导体部件连接，旨在使所述第1导体部件充电的充电用电压供给部；通过第1、第2电流测量用开关晶体管而分别与所述第2、第3导体部件连接，旨在取出从所述第2、第3导体部件流出的电流的电流取出部；以及控制所述各开关晶体管的ON·OFF的控制电路，并且，所述第2导体部件，通过受到所述控制电路的ON·OFF控制的第2充电用开关晶体管，与所述充电用电压供给部连接。