[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410048052.2 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1574337A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 依田孝;尾本诚一;金子尚史;江泽弘和 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：多孔膜，形成于半导体衬底上，所述多孔膜具有从沟槽和孔中选择的至少一个掩埋凹槽；导电阻挡层，形成于掩埋凹槽的内表面上；导电部分，掩埋于掩埋凹槽中，在多孔膜和导电部分之间间隔有导电阻挡层；以及混合层，形成于多孔膜和导电阻挡层之间并含有多孔膜的成分和导电阻挡层的成分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多孔膜，形成于半导体衬底上，所述多孔膜具有从沟槽和孔中选择的至少一个掩埋凹槽；导电阻挡层，形成于掩埋凹槽的内表面上；导电部分，掩埋于掩埋凹槽中，在多孔膜和导电部分之间间隔有导电阻挡层；以及混合层，形成于多孔膜和导电阻挡层之间并含有多孔膜的成分和导电阻挡层的成分。
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