[发明专利]具有脉冲串读出操作模式的闪速存储器装置无效
| 申请号： | 200410047758.7 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1551226A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李升根;朴镇城 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C8/00 | 分类号： | G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种闪速存储器装置，其中包括多个列，每个列都同多个存储器单元相连。列选择器电路根据列地址选择一部分列，并且多个读出放大器组同由列选择器电路选中的列相连。该列选择器电路根据是否是按4N排列该列地址，以可变方式选择列，其中N的值为等于或大于1的整数。例如，当列地址按4N排列时，列选择器电路选择该列地址的列，而当列地址不按4N排列时，列选择器电路选择高位列地址的列。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 脉冲 读出 操作 模式 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器装置，包括：多个列，每个列都同多个存储器单元相连；一个列选择电路，用以根据列地址选择多个列中的一部分；以及多个读出放大器组，同由列选择电路选出的列相连，其中列选择电路被设置成能够选择列，该列是通过该列地址是否是按4N排列(N为等于或大于1的正整数)确定的。
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