[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200410036980.7 | 申请日： | 2004-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1578141A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 井上贵公 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在IGBT1的栅极导通时使开关SWon1导通供给栅极电流，在栅极关断时使开关SWoff1导通来放电栅极电容的电荷，该半导体装置包括用于增大所述栅极电流的开关SWon2，在所述开关SWon1导通时仅将所述开关SWon2导通第一规定时间的定时器(14)。还包括用于增大所述放电时的放电电流的开关SWoff2，以及当所述开关SWoff1导通时仅将所述开关SWoff2导通第二规定时间的定时器(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有在MOS器件栅极导通时供给栅极电流的第一开关；和在栅极关断时使栅极电容的电荷放电的第二开关，其特征在于，所述半导体装置还包括：用于增大所述栅极电流的第三开关；在所述第一开关导通时导通所述第三开关并在该开关导通第一规定时间后关断第三开关的第一定时器单元；用于增大所述放电时的放电电流的第四开关；在所述第二开关导通时导通所述第四开关并在该开关导通第二规定时间后关断第四开关的第二定时器单元。
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