[发明专利]金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法无效
| 申请号： | 200410031528.1 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1670928A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 叶芳裕;董明圣;李岳川;林骐 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法，先以栅极与衬层为掩模进行一离子注入，在栅极两侧的基底中形成源极/漏极。然后蚀刻此衬层使其厚度减少，再进行另一离子注入以在源极/漏极轮廓的外围形成环掺杂区。此包围源极/漏极的环掺杂区较靠近通道区且与源极/漏极重叠较少，因此，可同时维持稳定的元件启始电压并达到降低结漏电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法，该方法至少包括：在一基底上形成一栅极，其中该栅极包括一栅介电层及一导体层；在该栅极的侧壁上形成一衬层；以该栅极与该衬层为掩模进行一第一型离子注入，以在该栅极外侧的该基底中形成源极/漏极；蚀刻该衬层，以使该衬层的厚度减小；以及进行一第二型离子注入，以在该源极/漏极的周围形成一环掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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