[发明专利]制造半导体装置的电容器的方法有效
| 申请号： | 200410031064.4 | 申请日： | 2004-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1577799A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李南宰;朴启淳 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体装置的电容器的方法。所述半导体装置包括：形成于一基板上并含有多个堆叠的位线、一硬掩模及一间隔物的位线结构，该间隔物沿着包含该位线与该硬掩模的外形而形成；沉积在该位线结构的整个表面上的第一层间绝缘层；通过穿过该层间绝缘层而形成在基板上的并部分被蚀刻的一存储节点接触塞；形成在该存储节点接触塞与该第一层间绝缘层的一部分上的第二层间绝缘层；及圆形下电极，形成在该第二层间绝缘层、该第一层间绝缘层的暴露部分及该存储节点接触塞的蚀刻部分的横侧面上，其中该下电极至少和该蚀刻部分的预设的横侧面电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：位线结构，形成于一基板上，且包括多个堆叠的位线，一硬掩模及一间隔物，该间隔物沿着含有该位线与该硬掩模的外形而形成；第一层间绝缘层，沉积在该位线结构的整个表面上；存储节点接触塞，穿过该层间绝缘层而形成在该基板上，并具有蚀刻的部分；第二层间绝缘层，形成在该存储节点接触塞与该第一层间绝缘层的一部分上；及圆形下电极，形成在该第二层间绝缘层、该第一层间绝缘层的暴露部分及该存储节点接触塞的蚀刻部分的横侧面上，其中该下电极至少和该蚀刻部分的预设的横侧面电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
