[发明专利]具有隔膜的半导体压力传感器无效
| 申请号： | 200410007486.8 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1527039A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 胜间田卓;丰田稻男;田中宏明 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体压力传感器包括：半导体衬底(10)，该衬底具有用于接受压力的隔膜(30)和用于检测对应该压力的隔膜(30)的变形的桥电路。该桥电路包括一对第一测量电阻器(41、44)和一对第二测量电阻器(42a、43a)。第一测量电阻器(41、44)设置在隔膜(30)的中心，第二测量电阻器(42a、43a)设置在隔膜(30)的周边。每个第一测量电阻器(41、44)的第一电阻(RA、RD)大于每个第二测量电阻器(42a、43a)的第二电阻(RB1、RC1)。提高了该传感器的TNO特性，因此该传感器具有高检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔膜 半导体 压力传感器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体压力传感器，包括：半导体衬底(10)，该衬底具有用于接受压力的隔膜(30)和用于检测对应该压力的隔膜(30)的变形的桥电路，其中所述桥电路包括一对第一测量电阻器(41、44)和一对第二测量电阻器(42、43)，其中所述第一测量电阻器(41、44)设置在隔膜(30)的中心，所述第二测量电阻器(42a、43a)设置在隔膜(30)的周边，和其中每个第一测量电阻器(41、44)的第一电阻(RA、RD)大于每个第二测量电阻器(42a、43a)的第二电阻(RB1、RC1)。
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