[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在半导体衬底(100)的上部形成N沟道扩散层(103)以及N型阱扩散层(104)，之后，在半导体衬底(100)上形成栅绝缘膜(101)以及栅电极(102)。接着，以栅电极(102)为掩模，注入硼以及氟，形成P型扩展注入层(106A)以及N型口袋杂质注入层(107A)。之后，以栅电极(102)为掩模，注入氟，形成氟注入层(109)。接着，对半导体衬底(100)进行快速热处理，形成P型高浓度扩展扩散层(106)以及N型扩散层(107)。其后，形成侧壁(108)以及P型高浓度源极·漏极层(105)。根据本发明，实现高浓度扩展扩散层的浅接合化以及低电阻化。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有： 在第1导电型半导体区域上，形成隔着栅极绝缘膜而形成的栅电极的工序(a)；以所述栅电极为掩模，通过向所述半导体区域注入第2导电型的第1杂质，而在所述半导体区域形成扩展注入层的工序(b)；在所述工序(b)之后，以所述栅电极为掩模，通过向所述半导体区域内注入氟，而在所述半导体区域形成氟注入层的工序(c)；在所述工序(c)后，通过进行第1热处理，在所述半导体区域的上部形成所述第1杂质进行扩散而成的第2导电型扩展扩散层的工序(d)。