[发明专利]具内部偏馈射频功率晶体管有效

专利信息
申请号: 200380107088.7 申请日: 2003-11-24
公开(公告)号: CN1732568A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: N·V·迪西特;L·莱顿;G·C·马;P·佩鲁古帕里 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H03F3/60;H03F3/193
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;张志醒
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 传统宽频射频功率放大器系使用1/4波长传输线将占用印刷电路板相对较大空间之栅极偏压直流源极从栅极电路去耦合,及第二1/4波长传输线将漏极偏压直流源极从漏板电路去耦合。新宽频射频功率放大器不需1/4波长传输线而使用具有用于注入栅极偏压及漏极偏压直流源极之独立终端的晶体管,藉此免除空间并促进更高密度封装。功率放大器晶体管可以单印模电路或并联操作之多印模电路来实施。
搜索关键词: 内部 射频 功率 晶体管
【主权项】:
1.功率晶体管,包含:-一凸缘;-一印模,具有一栅极一源极及一漏极,其中该源极系被电耦合至该凸缘;-一栅极调谐电路,被放置于该凸缘上,具有一输入及一输出,该输出系被与该栅极耦合;-一漏极调谐电路,被放置于该凸缘上,具有一输入及一输出,该输入系被与该漏极耦合;-一输入终端,被机械耦合至该凸缘,且被与该栅极调谐电路之该输入电耦合;-一输入偏压终端,被机械耦合至该凸缘,且被与该栅极电耦合;-一输出偏压终端,被机械耦合至该凸缘,且被与该漏极电耦合。
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