[发明专利]通过生长具有定制的厚度分布的牺牲膜层而进行材料平面化的方法和装置无效
| 申请号： | 200380106936.2 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1802733A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | V·S·阿褚沙拉曼;J·查辛;H·福斯特纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了以对下层材料如硅具有平面化作用的方式形成氧化物的方法和装置。具体是，在下层材料上生长具有不均匀厚度分布的氧化物。根据下层材料的不均匀分布选择氧化物的不均匀厚度分布。与氧化前的表面相比，随后的氧化物去除获得了下层材料的平坦表面。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 生长 具有 定制 厚度 分布 牺牲 进行 材料 平面化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.在形成半导体晶片上表面的材料上生长牺牲平面化层的方法，包括：(a)测定所述材料的不均匀厚度分布；(b)基于所述不均匀厚度分布选择一个或多个工艺参数值，从而对所述材料进行平面化处理；以及(c)采用湿式氧化法根据所述不均匀分布在晶片的上表面上生长牺牲平面化层，其中的所述牺牲平面化层消耗了部分材料而实现对所述材料的平面化处理。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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