[发明专利]低介电常数无定形二氧化硅类被膜形成用涂布液及该涂布液的配制方法有效

专利信息
申请号: 200380102613.6 申请日: 2003-10-27
公开(公告)号: CN1708563A 公开(公告)日: 2005-12-14
发明(设计)人: 中岛昭;江上美纪;小松通郎;中田义弘;矢野映;铃木克己 申请(专利权)人: 触媒化成工业株式会社;富士通株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D183/02;C09D5/25;//C01B33/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液:将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物;或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后,与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合,再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外,该涂布液是将上述成分按特定比例混合,并在特定的操作条件下进行配制的。
搜索关键词: 介电常数 无定形 二氧化硅 类被膜 形成 用涂布液 涂布液 配制 方法
【主权项】:
1.一种低介电常数无定形二氧化硅类被膜形成用涂布液,该涂布液用于形成具有较高膜强度、并具有优良疏水性的平滑的低介电常数无定形二氧化硅类被膜,其特征为,含有通过以下方法得到的硅化合物:将原硅酸四烷基酯TAOS及由下述通式(I)表示的烷氧基硅烷AS,在氢氧化四烷基铵TAAOH的存在下水解而得到硅化合物,XnSi(OR)4-n (I)式中,X表示氢原子、氟原子、或碳原子数为1~8的烷基、氟取代烷基、芳基、或乙烯基,R表示氢原子、或碳原子数为1~8的烷基、芳基或乙烯基,另外,n为0~3的整数。
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