[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310103002.5 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1499633A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 稗田克彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在高频用的MIM电容器中在相同的上下电极间具有不同的电容器绝缘膜结构，同时满足了减少漏泄电流的要求和缩小电容器形成用的面积这2个要求。通过在低漏泄电流为必要的电容器中插入能抑制漏泄电流的电容器绝缘膜层，实现了低漏泄电流的MIM电容器，通过在电容器面积的缩小为必要的电容器中将高介电常数电介质膜用作电容器绝缘膜，实现了电容器面积小的MIM电容器。通过使用相同的上下电极(13)、(17)同时形成具有这二种特性的电容器，减少了工艺成本的上升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是在衬底上形成了用上下的电极层夹住电容器绝缘膜的多个电容器的半导体器件，其特征在于：上述电容器中的一部分是上述电极层的结构彼此相同，且每单位面积的电容器容量不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
