[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
申请号: | 03823074.7 | 申请日: | 2003-02-27 |
公开(公告)号: | CN1685444A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 铃木淳弘 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G06F12/14;H01L27/10;H01L29/78;H03K17/284 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种非易失性半导体存储装置。该非易失性半导体存储装置的特征在于,包括:存储数据的存储单元;第1参照单元;检查电路,检查第1参照单元的阈值;和擦除电路,当检查电路检测出第1参照单元的阈值小于或约等于规定的固定值时,对其响应,擦除存储单元的数据。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,其特征在于,包括:存储数据的存储单元;第1参照单元;检查电路,检查该第1参照单元的阈值;和擦除电路,当该检查电路检测出该第1参照单元的阈值小于或约等于规定的固定值时,对其响应,擦除该存储单元的该数据。
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