[发明专利]去耦电容的表面安装焊料方法和设备及制造过程无效
| 申请号： | 03816883.9 | 申请日： | 2003-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1669142A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | D·谢尔斯;W·罗斯;J·杰克逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使诸如处理器等的高性能微电子设备成组的系统响应部件瞬态。在一个实施例中，该系统包括置于Vcc电气凸起和Vss电气凸起之间的去耦电容器。去耦电容器具有Vcc和Vss端子。Vcc和Vss端子与Vcc电气凸起和Vss电气凸起共享电气焊盘。产生单一电流回路，从而改进系统的功率传送。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 表面 安装 焊料 方法 设备 制造 过程 | ||
【主权项】：
1.一种去耦电容器系统，包括：包括衬底第一焊盘和衬底第二焊盘的衬底；包括底端和顶端的电气第一凸起，其中所述底端附着于所述第一焊盘；包括底端和顶端的电气第二凸起，其中所述底端附着于所述第二焊盘；置于所述焊盘上并实质邻近所述电气第一凸起的第一电容器；以及置于所述电气第一凸起顶端的顶结构，其中所述顶结构与所述第一电容器进行电气传送，并且所述顶结构是从电子部件、插入机构、插座以及它们组合中选择的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03816883.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用来混合和分配粉末的装置和方法
- 下一篇：杂类金刚烃
