[发明专利]具应力吸收半导体层之半导体组件及其制造方法有效

申请号：	03816784.0	申请日：	2003-07-11
公开（公告）号：	CN1669123A	公开（公告）日：	2005-09-14
发明（设计）人：	G·坦佩	申请（专利权）人：	因芬尼昂技术股份公司
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/314;H01L21/762;H01L29/786;H01L21/28
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	张雪梅;张志醒
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明乃涉及一种具应力吸收半导体层(SA)之半导体组件及其制造方法，产生机械应力的一结晶性应力产生层(SG)乃形成于载体材料(1)上。传送已产生的机械应力至应力吸收半导体层(SA)的绝缘应力传送层(2)乃形成于该结晶性应力产生层(SG)的表面，而其除了改良电荷载体移动性之外，亦得到经改良的该半导体组件的电性质。
搜索关键词：	应力吸收半导体组件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种包括应力吸收半导体层的半导体组件，其具有：载体材料(1)；形成于该载体材料(1)上及基本上具有第一晶格常数的结晶性应力产生层(SG)，其用以产生机械应力；形成于该应力产生层(SG)上及用于传送所产生机械应力的绝缘应力传送层(2)；形成于该绝缘应力传送层(2)及具有与该第一晶格常数不同的第二晶格常数的结晶性、应力吸收半导体层(SA)，其用以吸收已产生且被传送的机械应力以及用以实现源极/漏极(S、D)及沟道区域(K)；至少形成于该沟道区域(K)的表面之栅极介电体(3)；及用以驱动该沟道区域(K)的控制层(4)，其形成于该栅极介电体(3)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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